MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9114808

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSP149H6327XTSA1

EAN/GTIN:
5059043332383

Keresőfogalmak:

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	660 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	SOT-223
Sorozat:	SIPMOS®
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,8 Ω
Csatorna mód:	Kiürítéses
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.5mm

További keresőfogalmak: 9114808, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSP149H6327XTSA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 171 410,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 1 000 db (kezdő: HUF 171,41* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.