MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 34 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9114868

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPB320N20N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043256818

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	34 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	32 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	136 W
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.31mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: Tranzisztor, mosfet 200v, teljesítmény tranzisztor, mosfet 100v, 9114868, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPB320N20N3GATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 587 913,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 1 000 db (kezdő: HUF 587,913* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.