MOSFET, 1 elem/chip, 2,3 A, 60 V, 3-tüskés, TO-236 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9190266

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI2308BDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040650480

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	TO-236
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	156 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,66 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9190266, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI2308BDST1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 175 967,01*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 58,65567* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.