MOSFET, 1 elem/chip, 12,7 A, 25 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9190272

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4116DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040650558

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	12,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	25 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	9 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.6V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9190272, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4116DYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 432 725,50*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 500 db (kezdő: HUF 173,0902* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.