MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9190288

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4435DDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040648630

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	8,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	24 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9190288, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4435DDYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 224 658,50*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 500 db (kezdő: HUF 89,8634* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.