MOSFET, 2 elem/chip, 3,9 A, 5,3 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9190297

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4559ADY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040648647

Keresőfogalmak:

Két N/P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,9 A, 5,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	72 mΩ, 150 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3,1 W, 3,4 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 9190297, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4559ADYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 558 680,50*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 500 db (kezdő: HUF 223,4722* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.