MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9194208

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI2319CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040667686

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	108 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9194208, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI2319CDST1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 200 639,01*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 66,87967* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.