MOSFET, 2 elem/chip, 3,8 A, 20 V, 8-tüskés, 1206 ChipFET Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9194325

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI5935CDC-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040653603

Keresőfogalmak:

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	1206 ChipFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	156 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 9194325, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI5935CDCT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 191 260,02*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 63,75334* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.