MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9194508

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFBG30PBF

EAN/GTIN:
5059040649514

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	1000 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	125 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.41mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9194508, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFBG30PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 22 767,40*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 455,348* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.