MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.