MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9200717

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXTP50N20P

EAN/GTIN:
5059041032681

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	50 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	TO-220
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	60 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	360 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.66mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 9200717, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXTP50N20P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 88 402,60*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 1 768,052* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.