MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9200877

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFK26N120P

EAN/GTIN:
5059041036856

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	26 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	1200 V
Csomag típusa:	TO-264
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	460 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	6.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	960 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	19.96mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 9200877, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFK26N120P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 339 223,40*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 13 568,936* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.