MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9211120

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN6140L-7

EAN/GTIN:
5059043422480

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	170 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 9211120, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN6140L7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 799,30*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 35,986* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.