Tranzisztor: P-MOSFET; egysarkú; -50V; -250mA; Idm: -0,5A; 1,22W

Gyártó: DIODES INCORPORATED
Szerelés: SMD
Tokozás: X1-DFN1006-3
Drén - forrás feszültség: -50V
Drén áram: -250mA
Ellenállás vezetési állapotban: 18Ω
Tranzisztor típusa: P-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 1,22W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
egységár: nem
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: -0,5A