Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > Cikk

Tranzisztor: P-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; -20V; -12A; Idm: -30A


Mennyiség:  db  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIA429DJT-T1-GE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIA429DJT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
teljesítmény tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: -20V
Drén áram: -12A
Ellenállás vezetési állapotban: 60mΩ
Tranzisztor típusa: P-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 19W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
Kapu töltés: 62nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±8V
Impulzus drain áram: -30A
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 114,00*
  
Az ár 1 500 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 3000 db
HUF 120,00*
HUF 152,00
db-ként
kezdő: 15000 db
HUF 116,00*
HUF 147,00
db-ként
kezdő: 30000 db
HUF 115,00*
HUF 146,00
db-ként
kezdő: 1500000 db
HUF 114,00*
HUF 145,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.