Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

Tranzisztor: N-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; 20V; 12A; Idm: 40A


Mennyiség:  db  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIA430DJT-T1-GE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIA430DJT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
SMD-tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: 20V
Drén áram: 12A
Ellenállás vezetési állapotban: 18,5mΩ
Tranzisztor típusa: N-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 19,2W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
Kapu töltés: 18nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: 40A
További keresőfogalmak: Tranzisztor, teljesítmény tranzisztor
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 89,00*
  
Az ár 1 500 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 3000 db
HUF 97,00*
HUF 123,00
db-ként
kezdő: 15000 db
HUF 94,00*
HUF 119,00
db-ként
kezdő: 30000 db
HUF 92,00*
HUF 117,00
db-ként
kezdő: 1500000 db
HUF 89,00*
HUF 113,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.