Tranzisztor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; egysarkú; -20V

Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: -20V
Drén áram: -4,5A
Ellenállás vezetési állapotban: 0,205Ω
Tranzisztor típusa: P-MOSFET + Schottky
Teljesítmény elosztás: 6,8W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
Kapu töltés: 13nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±8V
Impulzus drain áram: -8A