Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > Cikk

Tranzisztor: N-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; 200V; 39,6A; Idm: 80A


Mennyiség:  csomag  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIDR610DP-T1-RE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIDR610DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
SMD-tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: 200V
Drén áram: 39,6A
Ellenállás vezetési állapotban: 33,4mΩ
Tranzisztor típusa: N-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 125W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
egységár: nem
Kapu töltés: 38nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: 80A
További keresőfogalmak: Tranzisztor, teljesítmény tranzisztor
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 1 798 594,02*
  
Az ár 500 csomagok-től érvényes
1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 599,53134* db-ként)
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 csomag
HUF 1 870 422,00*
HUF 2 375 435,94
csomag-ként
kezdő: 2 csomagok
HUF 1 860 130,02*
HUF 2 362 365,1254
csomag-ként
kezdő: 5 csomagok
HUF 1 819 298,01*
HUF 2 310 508,4727
csomag-ként
kezdő: 10 csomagok
HUF 1 800 916,02*
HUF 2 287 163,3454
csomag-ként
kezdő: 500 csomagok
HUF 1 798 594,02*
HUF 2 284 214,4054
csomag-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.