Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

Tranzisztor: N-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; 60V; 100A; Idm: 200A


Mennyiség:  csomag  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIDR626DP-T1-RE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIDR626DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
SMD-tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: 60V
Drén áram: 100A
Ellenállás vezetési állapotban: 2,6mΩ
Tranzisztor típusa: N-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 125W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
Kapu töltés: 102nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: 200A
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 2 218 346,01*
  
Az ár 10 csomagok-től érvényes
1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 739,44867* db-ként)
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 csomag
HUF 2 220 009,00*
HUF 2 819 411,43
csomag-ként
kezdő: 2 csomagok
HUF 2 219 555,01*
HUF 2 818 834,8627
csomag-ként
kezdő: 5 csomagok
HUF 2 218 649,01*
HUF 2 817 684,2427
csomag-ként
kezdő: 10 csomagok
HUF 2 218 346,01*
HUF 2 817 299,4327
csomag-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.