Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

Tranzisztor: N-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W


Mennyiség:  db  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIR410DP-T1-GE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIR410DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény-MOSFET
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Tokozás: PowerPAK® SO8
Drén - forrás feszültség: 20V
Drén áram: 35A
Ellenállás vezetési állapotban: 6,3mΩ
Tranzisztor típusa: N-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 36W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
egységár: nem
Kapu töltés: 41nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: 60A
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 239,00*
  
Az ár 1 500 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 3000 db
HUF 250,00*
HUF 318,00
db-ként
kezdő: 6000 db
HUF 249,00*
HUF 316,00
db-ként
kezdő: 15000 db
HUF 244,00*
HUF 310,00
db-ként
kezdő: 30000 db
HUF 241,00*
HUF 306,00
db-ként
kezdő: 1500000 db
HUF 239,00*
HUF 304,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.