Tranzisztor: P-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; -200V; -9,4A; 68W

Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: -200V
Drén áram: -9,4A
Ellenállás vezetési állapotban: 763mΩ
Tranzisztor típusa: P-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 68W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
egységár: nem
Kapu töltés: 85nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: -60A