Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 406 ajánlat 4 314 164 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
onsemi FGY100T120RWD IGBT N-csatornás, 200 A, 1200 V, 3-tüskés, TO247-3LD (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 200 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,07 kW Csomag típusa = T...
onsemi
FGY100T120RWD
kezdő: HUF 5 038,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGHL75T65MQDTL4 IGBT, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 375 W Csomag típusa = TO-247...
onsemi
FGHL75T65MQDTL4
kezdő: HUF 1 499,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 225A Kapcsolási idő: 61ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH40N65B4H1
kezdő: HUF 2 947,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT40TS65DGC13 IGBT, 40, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,44 mW Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT40TS65DGC13
kezdő: HUF 1 016,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 80A Kollektoráram az impulzusban: 360A Kapcsolási idő: 134ns Kikapcsol...
IXYS
IXYH80N90C3
kezdő: HUF 2 515,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGW60TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
kezdő: HUF 1 570,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS i4-pac™ x024c kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 19A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő: ...
IXYS
IXGF32N170
kezdő: HUF 6 660,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGY75T95LQDT IGBT, 950 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 950 V Maximális teljesítménydisszipáció = 453 W Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres...
onsemi
FGY75T95LQDT
kezdő: HUF 2 560,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1,2kW; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 140A Kollektoráram az impulzusban: 730A Kapcsolási idő: 114ns Kikapcso...
IXYS
IXXH140N65C4
kezdő: HUF 4 971,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGY75T120SWD IGBT N-csatornás, 150 A, 1200 V, 3-tüskés, TO247-3LD (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 150 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 714 W Csomag típusa = TO2...
onsemi
FGY75T120SWD
kezdő: HUF 2 417,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 60A Kollektoráram az impulzusban: 265A Kapcsolási idő: 94ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH60N65B4
kezdő: HUF 1 730,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT60TS65DGC13 IGBT, 55, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 55 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,94 mW Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
kezdő: HUF 1 146,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 80A Kollektoráram az impulzusban: 360A Kapcsolási idő: 134ns Kikapcsolás...
IXYS
IXYT80N90C3
kezdő: HUF 2 809,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGW60TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 178 W Csomag típusa = TO-24...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
kezdő: HUF 1 436,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 21A Kollektoráram az impulzusban: 110A Kapcsolási idő: 107ns Kikapcsolá...
IXYS
IXGT32N170A
kezdő: HUF 6 769,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   ..   161   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.