FRAM memória CY15B104Q-LHXI, Soros SPI 4Mbit, 512 KB x 8, 16ns, 2 V – 3,6 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés, DFN

4 Mbit-es ferromelektromosan véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 512 K x 8-as méretű Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás 151 éves adatvisszatartás NoDelay™ ír advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás Nagyon gyors soros perifériainterfész (SPI) Akár 40 MHz frekvencia A soros flash és az EEPROM közvetlen hardvercseréje Az SPI 0 (0, 0) és 3 (1, 1) módot támogatja Kifinomult írásvédelmi rendszer Hardvervédelem az WP (Write Protection) csap használatával Szoftveres védelem az Írás letiltás utasítás használatával 1/4, 1/2 vagy teljes tömb szoftverblokk-védelme Készülékazonosító A gyártó azonosítója és A Termék azonosítója Kis teljesítményfelvétel 300 rejtett áram 1 MHz-nél 100 rejtett A (typ) készenléti áram 3 rejtett A (typ) energiatakarékos üzemmód árama Alacsony feszültségű működés: VDD = 2,0 V és 3,6 V között Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között Csomagok 8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag 8-tűs vékony kettős lapos vezeték nélküli (TDFN) csomag