MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si

A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a HEXFET teljesítmény MOSFET által jól ismert gyors kapcsolási sebesség és robusztus készülékkialakítás, amely megfelelő szintű eszközt biztosít a tervezőnek, rendkívül hatékony és megbízható eszközt biztosít a legkülönbözőbb alkalmazásokhoz. Az SO-8-t testre szabott ólomkeret módosította a továbbfejlesztett termikus jellemzők és a többlapos képesség érdekében, így ideális a különböző teljesítményalkalmazásokban. Ezzel a fejlesztéssel több eszköz is használható egy olyan alkalmazásban, ahol drámaian csökkent a laphelyigény. A csomag gőzfázisú, infravörös hullám forrasztási technikákhoz készült.Generation V technológia Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Felületszerelt Nagyon alacsony kapu töltési és kapcsolási veszteségek Teljesen lavina minősítésű Kettős N-csatornás MOSFET