Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (274 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN80N50P
kezdő: HUF 9 708,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN80N60P3
kezdő: HUF 9 834,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 600 A, 40 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
IXYS
MMIX1T600N04T2
kezdő: HUF 9 995,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFK26N120P
kezdő: HUF 10 022,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTK22N100L
kezdő: HUF 10 082,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
kezdő: HUF 10 444,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N80Q3
kezdő: HUF 10 448,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN110N60P3
kezdő: HUF 10 452,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
kezdő: HUF 10 477,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N100Q3
kezdő: HUF 10 887,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFB90N85X
kezdő: HUF 10 959,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN82N60P
kezdő: HUF 11 213,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN60N80P
kezdő: HUF 11 310,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 132 A, 250 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
IXYS
MMIX1F180N25T
kezdő: HUF 11 762,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFB82N60Q3
kezdő: HUF 11 777,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.