Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (274 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN44N100Q3
kezdő: HUF 18 352,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN44N80Q3
kezdő: HUF 18 911,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTN62N50L
kezdő: HUF 19 295,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = SOT-227 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 19 752,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN44N80Q3
kezdő: HUF 20 583,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN32N100Q3
kezdő: HUF 20 622,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 20 730,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN36N100
kezdő: HUF 20 883,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN36N100
kezdő: HUF 22 306,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN32N100Q3
kezdő: HUF 22 694,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTN62N50L
kezdő: HUF 22 716,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP14N60P3
kezdő: HUF 33 393,90*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH16N50P
kezdő: HUF 47 362,3002*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFQ26N50P3
kezdő: HUF 53 389,80*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXTP36N30P
kezdő: HUF 54 718,50*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.