MOSFET-ek Infineon Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (202/418 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFI620GPBF

kezdő: HUF 206,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFI620GPBF

kezdő: HUF 1 743,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHD690N60E-G3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...

Vishay

SIHD690N60E-GE3

kezdő: HUF 217,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A, 6.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SIHD690N60E-GE3

kezdő: HUF 170,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB E (2 ajánlat)

A Vishay SI690N60E-GEO3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...

Vishay

SIHP690N60E-GE3

kezdő: HUF 433,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A, 6.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SIHP690N60E-GE3

kezdő: HUF 642,00*
db-ként

Infineon IPSA70R1K4P7S tranzisztor 700 V (1 ajánlat)

Infineon

IPSA70R1K4P7SAKMA1

kezdő: HUF 8 047,6005*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A COOL MOS™ Infineon-kialakítása egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A le...

Infineon

IPSA70R1K4P7SAKMA1

kezdő: HUF 109,00*
db-ként

Infineon IPSA70R2K0CE tranzisztor 650 V (1 ajánlat)

Infineon

IPSA70R2K0CEAKMA1

kezdő: HUF 5 297,10*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK SL (TO-251 SL) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ CE Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Infineon

IPSA70R2K0CEAKMA1

kezdő: HUF 84,00*
db-ként

Infineon IPS70R1K4P7S tranzisztor 700 V (2 ajánlat)

Infineon

IPS70R1K4P7SAKMA1

kezdő: HUF 90,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK SL (TO-251 SL) CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Infineon

IPS70R1K4P7SAKMA1

kezdő: HUF 90,00*
db-ként

Infineon IPN70R1K4P7S tranzisztor 700 V (1 ajánlat)

Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1

kezdő: HUF 64,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat)

A Infineon CoolMOS™ P7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET az alacsony teljesítményű SMPS piac tipikus kihívásainak kezelésére készült, kiváló teljesítményt és egyszerű használatot kínálva, ami jobb forma...

Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1

kezdő: HUF 111,00*
db-ként

Infineon IPD70R1K4P7S tranzisztor 700 V (2 ajánlat)

Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1

kezdő: HUF 68,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 .. 418 előre

MOSFET-ek (6 269 cikk)