Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SISS52DN-T1-UE3
kezdő: HUF 748 945,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SISS52DN-T1-UE3
kezdő: HUF 308,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen V teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) Nagyobb teljesítménysűrűséget tes...
Vishay
SiSS52DN-T1-GE3
kezdő: HUF 140,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiSS52DN-T1-GE3
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
onsemi
NVTFS4C02NWFTAG
kezdő: HUF 386,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...
onsemi
NVTFS4C02NWFTAG
kezdő: HUF 568,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRF1404LPBF
kezdő: HUF 528,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 40 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...
Infineon
IRF1404LPBF
kezdő: HUF 32 430,40*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...
onsemi
NVMTS4D3N15MC
kezdő: HUF 1 113,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NVMTS4D3N15MC
kezdő: HUF 1 514,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR626ADP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM hangolás érdekében.Power PAK SO-8 csomag TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET
Vishay
SiR626ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 917 146,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR626ADP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = SiR626ADP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiR626ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 261,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2
kezdő: HUF 973 774,00*
2 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2
kezdő: HUF 669,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IAUS165N08S5N029ATMA1
kezdő: HUF 573,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   201   202   203   204   205   206   207   208   209   210   211   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.