Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 321 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 85 576,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 82 366,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 204 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális teljesítménydisszipáció = 1360 W Maximális működés...
ROHM Semiconductor
BSM180D12P2C101
kezdő: HUF 1 712 894,80008*
12 db-ként
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 300 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
ROHM Semiconductor
BSM300D12P2E001
kezdő: HUF 1 303 722,60*
4 db-ként
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 300 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
ROHM Semiconductor
BSM300D12P2E001
kezdő: HUF 336 079,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 180 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 180 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
ROHM Semiconductor
BSM180D12P3C007
kezdő: HUF 192 394,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 120 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...
ROHM Semiconductor
BSM120D12P2C005
kezdő: HUF 130 904,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 1 218 095,2042*
28 db-ként
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 41 435,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 1 631 205,61212*
28 db-ként
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 55 053,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 240 W Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Szélesség = 4.8mm Magasság = 16.51mm
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 1 308,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
A félvezető diódánAz ON Semiconductor TO-220-2L szilíciumkarbid (SIC) Schottky dióda a legújabb termék, amely teljesen új technológiát alkalmaz, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és megbízhatós...
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 2 623,00*
2 db-ként
Phoenix Contact
1952539
kezdő: HUF 424,00*
db-ként
ON Semiconductor NTMFS006N08MC (1 ajánlat) 
A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják...
onsemi
NTMFS006N08MC
kezdő: HUF 322,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   155   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.