| | | | |
| Kép | | | |
|
|
|
|
|
kezdő: HUF 85 576,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 82 366,00* db-ként |
|
|
SiC teljesítménymodul, 204 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális teljesítménydisszipáció = 1360 W Maximális működés... |
ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 |
kezdő: HUF 1 712 894,80008* 12 db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 |
kezdő: HUF 1 303 722,60* 4 db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 |
kezdő: HUF 336 079,00* db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007 |
kezdő: HUF 192 394,00* db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor BSM120D12P2C005 |
kezdő: HUF 130 904,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 218 095,2042* 28 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 41 435,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 631 205,61212* 28 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 55 053,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 308,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 623,00* 2 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 424,00* db-ként |
|
|
ON Semiconductor NTMFS006N08MC (1 ajánlat) A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják... |
|
kezdő: HUF 322,00* db-ként |
|