Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (3 830 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 5.5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® Dual N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Félnél PowerTSUAL® MOSFET-ek optimalizált energiakapcsolt eszközök, amelyek növelik a rendszer hatékonyságát és az áramsűrűséget. A ...
onsemi
FDS6930B
kezdő: HUF 540,50*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 500 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SI1034CX-T1-GE3
kezdő: HUF 37,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 20 V, 6-tüskés, SC-89-6 TrenchFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 500 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SC-89-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő f...
Vishay
SI1034CX-T1-GE3
kezdő: HUF 1 790,50*
50 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
FDG6303N
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
FDG6303N
kezdő: HUF 463,10*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SQRS140ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 2 103 456,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SQRS140ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 866,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiR876BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 720,795*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiR876BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 147,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
NDC7002N
kezdő: HUF 37,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
NDC7002N
kezdő: HUF 178,40*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (2 ajánlat) 
Közös - Engedje le a két N-csatornás 60 V-os (S1-S2) MOSFET MOSFET egységet.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis forrásról forrásig tartó ellenállás Integrált, közös leeresztésű...
Vishay
SiSF20DN-T1-GE3
kezdő: HUF 232,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SCD Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiSF20DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 283,50*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 54 A, 60 V, 6-tüskés, PowerPAK SO-8L kettős SQJ264EP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = SQJ264EP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SQJ264EP-T1_GE3
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 54 A, 60 V, 6-tüskés, PowerPAK SO-8L kettős SQJ264EP (1 ajánlat) 
A Vishay Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C-os MOSFET-EK szinkron Buck alkalmazásokhoz optimalizáltak. AEC-Q101 minősítéssel rendelkezik.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen IV teljesítm...
Vishay
SQJ264EP-T1_GE3
kezdő: HUF 230,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   221   222   223   224   225   226   227   228   229   230   231   ..   256   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.