MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (16/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 11,3 A, 100 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 ThunderFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, közepes feszültségű/ThunifFET®, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA416DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 117,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® (1 ajánlat)

A Vishay SQD10950E_GEO3 egy autós N-csatornás, 250 V (D-S), 175 °C-os MOSFET.TrenchFET® power MOSFET Kis hőellenállású tok 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség AEC-Q101-minősítés

Vishay

SQD10950E_GE3

kezdő: HUF 191,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma =...

Vishay

SQD10950E_GE3

kezdő: HUF 228,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7129DN-T1-GE3

HUF 151,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7129DN-T1-GE3

HUF 187,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,6 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK ChipFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI5418DU-T1-GE3

HUF 188,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,6 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK ChipFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI5418DU-T1-GE3

kezdő: HUF 233,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 100 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

kezdő: HUF 448,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 100 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = N-Channel 100 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

kezdő: HUF 685,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

A SIR150DP-T1-RE3 Vishay N-csatornás 45 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 45 V-os leürítőcső-forrás feszültségleszakadás Alacsony QG- és Qoss-frekvenciára hangolva 100 %-...

Vishay

SIR150DP-T1-RE3

kezdő: HUF 115,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...

Vishay

SIR150DP-T1-RE3

kezdő: HUF 124,00*
db-ként