MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (58/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLU110PBF

kezdő: HUF 19 593,60*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPG40PBF

kezdő: HUF 29 895,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2323DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 68,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2323DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 1 077,00*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 4-tüskés, MIKROLÁB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI8489EDB-T2-E1

kezdő: HUF 46,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 4-tüskés, MIKROLÁB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI8489EDB-T2-E1

kezdő: HUF 1 724,70*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SQ2362ES-T1_GE3

kezdő: HUF 55,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQ2362ES-T1_GE3

kezdő: HUF 3 579,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2319CDS-T1-GE3

kezdő: HUF 67,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2319CDS-T1-GE3

kezdő: HUF 201 174,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 8 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2305CDS-T1-GE3

kezdő: HUF 102 913,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SIHB5N80AE-GE3

kezdő: HUF 299,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...

Vishay

SIHB5N80AE-GE3

kezdő: HUF 300,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = SiHU5N80AE Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Vishay

SIHU5N80AE-GE3

kezdő: HUF 160,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)

Vishay

SIHU5N80AE-GE3

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)