MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (59/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 19 A, 55 V, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRF9Z34SPBF

kezdő: HUF 340,00*
db-ként

Vishay SUD15N15-95-E3 IGBT (2 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SUD15N15-95-E3

kezdő: HUF 341,00*
db-ként

MOSFET, 51 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPak SO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPak SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

Vishay

SIR4604LDP-T1-GE3

kezdő: HUF 342,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SIHA15N80AEF-GE3

kezdő: HUF 345,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET DPAK (TO-252) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszte...

Vishay

SIHD11N80AE-GE3

kezdő: HUF 345,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR104ADP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

Vishay

SiDR104ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 346,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET A felső oldalon lévő hűtési funkció további helyet biztosít a hőátadáshoz Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesítményvesztesé...

Vishay

SiDR392DP-T1-GE3

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 575 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 8 x 8LR N-Channel 40 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 575 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = N-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

Vishay

SQJQ144AER-T1_GE3

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 16 A, 30 V, PowerPAIR (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAIR Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIZ918DT-T1-GE3

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF840APBF

kezdő: HUF 348,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.8 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9610PBF

kezdő: HUF 349,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat)

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...

Vishay

SQD50N04-4M5L-GE3

kezdő: HUF 350,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9640SPBF

kezdő: HUF 350,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQJ136ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 350,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat)

A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-...

Vishay

SiSS78LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 350,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)