MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (77/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva

Vishay

SiR188DP-T1-RE3

kezdő: HUF 560 980,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SiR188DP-T1-RE3

kezdő: HUF 3 900,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma...

Vishay

SQJ186EP-T1_GE3

kezdő: HUF 112,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Vishay

SQJ186EP-T1_GE3

kezdő: HUF 112,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SQJA66EP-T1_GE3

kezdő: HUF 183,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

A Vishay N csatornás MOSFET PowerPAK SO-8L tokozással rendelkezik.R-C értékek a Foster/tank és elektromos áramkörére vonatkozóan figyelmeztető/szűrő konfigurációk mellékelve

Vishay

SQJA66EP-T1_GE3

kezdő: HUF 186,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SQJ170ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 198,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SQJ170ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 112,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60,6 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 60,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR4409DP-T1-RE3

kezdő: HUF 874 289,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60,6 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIR4409DP-T1-RE3

kezdő: HUF 297,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 200 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFD210PBF

kezdő: HUF 117,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 200 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFD210PBF

kezdő: HUF 216,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1302DL-T1-E3

kezdő: HUF 46,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1302DL-T1-E3

kezdő: HUF 524,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 602 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 60 V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...

Vishay

SQJQ160E-T1_GE3

kezdő: HUF 1 083 227,00*
2 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 092 cikk)