MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (93/140 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 334 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 334 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS4600DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 082,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat)

E sorozatú MOSFET tápegység.4. Generációs E sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápegység...

Vishay

SIHA100N60E-GE3

kezdő: HUF 1 086,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4190ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 089,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB068N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SIHB068N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 090,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 373 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 373 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szá...

Vishay

SIJH600E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 093,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SIHA21N80AEF-GE3

kezdő: HUF 1 098,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIHB080N60E-GE3

kezdő: HUF 1 101,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 22 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 22 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...

Vishay

SIHP150N60E-GE3

kezdő: HUF 1 106,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 174 A, 150 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 l Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 174 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 l Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna...

Vishay

SIJH5700E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 116,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR680DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 116,80*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2323DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 1 120,60*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1032R-T1-GE3

kezdő: HUF 1 126,10*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFD9020PBF

kezdő: HUF 1 130,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 278 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 60 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...

Vishay

SQJA16EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 131,655*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 25 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (1 ajánlat)

A Vishay SIHP125N60EF-GEO3 EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési v...

Vishay

SIHP125N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 134,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 .. 140 előre

MOSFET-ek (2 094 cikk)