| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Kép | | | | Megrendelés | ![](/p.gif) | | |
|
|
kezdő: HUF 250,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 979,50* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 130,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 6-tüskés, TSOT-23 (2 ajánlat) Csomag típusa = TSOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális teljesítménydisszipáció = 960 mW Elemek száma chipenként = 2 |
|
kezdő: HUF 69,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 6-tüskés, TSOT-23 (1 ajánlat) Ezek az N-Channel 100 V MOSFET-ek fejlett Advanced PowerTTrench eljárás keretében készülnek, amelyet kifejezetten a lehető legkisebb ellenállással és mégis alacsony kapus-díjjal kínálnak a kiváló k... |
|
kezdő: HUF 1 812,50* 25 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 984,10* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 548,40* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 130 419,00* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 37,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 150 533,01* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 461,10* 10 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 68 A, 60 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kialakítás érdekében Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért NVMFD5C668NLWF – ... |
|
kezdő: HUF 467,00* db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 68 A, 60 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse... |
|
kezdő: HUF 6 319,00* 10 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 50,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 104,00* db-ként |
| |
|