Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
Infineon BSC026N04LS tranzisztor 30 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC026N04LSATMA1
kezdő: HUF 1 001 043,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Infineon
BSC026N04LSATMA1
kezdő: HUF 266,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW90 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 998,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 273,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA90N65G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 681,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 228,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9530SPBF
kezdő: HUF 266,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9530SPBF
kezdő: HUF 2 238,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Gépjármű N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...
onsemi
FDB3632
kezdő: HUF 540,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Gépjármű N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...
onsemi
FDB3632
kezdő: HUF 563,00*
db-ként
Infineon IRFI530N tranzisztor 30 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFI530NPBF
kezdő: HUF 194,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Full-Pak HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Full-Pak Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növ...
Infineon
IRFI530NPBF
kezdő: HUF 245,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP129N10NF2S (1 ajánlat) 
A Infineon IPP129N10NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 100 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. E...
Infineon
IPP129N10NF2SAKMA1
kezdő: HUF 221,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP129N10NF2S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = IPP129N10NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszü...
Infineon
IPP129N10NF2SAKMA1
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP12N10L
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   131   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.