Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4190ADY-T1-GE3
kezdő: HUF 2 735,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4190ADY-T1-GE3
kezdő: HUF 673 401,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR24N100Q3
kezdő: HUF 8 565,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR24N100Q3
kezdő: HUF 8 464,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH18N100Q3
kezdő: HUF 5 054,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH18N100Q3
kezdő: HUF 4 986,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-268 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFT18N100Q3
kezdő: HUF 5 662,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chi...
Infineon
IMBG120R140M1HXTMA1
kezdő: HUF 1 150,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chi...
Infineon
IMBG120R140M1HXTMA1
kezdő: HUF 1 156,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chi...
Infineon
IMBG120R220M1HXTMA1
kezdő: HUF 973,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chi...
Infineon
IMBG120R220M1HXTMA1
kezdő: HUF 982,00*
db-ként
Infineon
AUIRF7675M2TR
kezdő: HUF 272,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 150 V, DirectFET izometrikus HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon a legújabb autóipari HEXFET teljesítmény MOSFET szilikon technológiát a Advanced csomagolási platformmal kombinálja, hogy kategóriájában a legjobb alkatrészt nyújtsa a D osztályú autóipa...
Infineon
AUIRF7675M2TR
kezdő: HUF 273,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF640SPBF
kezdő: HUF 377,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF640SPBF
kezdő: HUF 383,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.