MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (305/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L E Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...

Vishay

SIHH26N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 936,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CP Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

Infineon

IPW60R125CPFKSA1

kezdő: HUF 1 361,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CP Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

Infineon

IPW60R125CPFKSA1

kezdő: HUF 3 195,40*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Infineon

IPB65R090CFD7ATMA1

kezdő: HUF 996,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPB65R090CFD7ATMA1

kezdő: HUF 1 374,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

IPP65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 579 640,00*
500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPP65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 1 413,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 342 720,60*
240 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 1 432,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFR44N80P

kezdő: HUF 5 649,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFR44N80P

kezdő: HUF 8 717,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. A QG és Qoss nagyon alacsony teljesítménnyel csökkenti az áramvesztesége...

Vishay

SiJ128LDP-T1-GE3

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiJ128LDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiJ128LDP-T1-GE3

kezdő: HUF 188,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 1200 V, AG-62 MM FF6MR (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = FF6MR Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális nyelő forrásellenállás = 5.81 mΩ C...

Infineon

FF6MR12KM1BOSA1

kezdő: HUF 1 691 047,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 1200 V, AG-62 MM FF6MR (1 ajánlat)

Az Infineon 62 mm-es, 1200 V-os, 6 m-es féláthidaló modul hideg SIC™ MOSFET-tel.Nagy áramsűrűség Alacsony kapcsolási veszteségek Kiváló kapu-oxid megbízhatóság A legnagyobb robusztusság a páratarta...

Infineon

FF6MR12KM1BOSA1

kezdő: HUF 296 695,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)