Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL095N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
NTHL095N65S3H
kezdő: HUF 1 333,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 TK090N65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
kezdő: HUF 1 799,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 TK090N65Z Szilikon (1 ajánlat) 
A Toshiba szilikon N-csatornás MOSFET nagy sebességű kapcsolási tulajdonságokkal rendelkezik, kisebb kapacitással. Elsősorban tápegységek kapcsolására használják.Alacsony a leeresztő-forrás ellenál...
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
kezdő: HUF 2 100,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT110N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTMT110N65S3HF
kezdő: HUF 1 133,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT110N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTMT110N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTMT110N65S3HF
kezdő: HUF 1 971,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN095N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTH4LN095N65S3H
kezdő: HUF 1 749,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN095N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTH4LN095N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenál...
onsemi
NTH4LN095N65S3H
kezdő: HUF 2 222,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 TK090Z65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = TK090Z65Z Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...
Toshiba
TK090Z65Z,S1F(O
kezdő: HUF 1 827,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 TK090Z65Z Szilikon (1 ajánlat) 
A Toshiba szilikon N-csatornás MOSFET nagy sebességű kapcsolási tulajdonságokkal rendelkezik, kisebb kapacitással. Elsősorban tápegységek kapcsolására használják.Alacsony a leeresztő-forrás ellenál...
Toshiba
TK090Z65Z,S1F(O
kezdő: HUF 5 240,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARC15
kezdő: HUF 2 585,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARC15
kezdő: HUF 2 210,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARHRC15
kezdő: HUF 2 338,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARHRC15
kezdő: HUF 2 274,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 5-tüskés, DFN8x8 TK099V65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = TK099V65Z Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
kezdő: HUF 1 476,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 5-tüskés, DFN8x8 TK099V65Z Szilikon (1 ajánlat) 
A Toshiba szilikon N-csatornás MOSFET nagy sebességű kapcsolási tulajdonságokkal rendelkezik, kisebb kapacitással. Elsősorban tápegységek kapcsolására használják.Alacsony a leeresztő-forrás ellenál...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
kezdő: HUF 1 551,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   341   342   343   344   345   346   347   348   349   350   351   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.