Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ C7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Infineon
IPP60R040C7XKSA1
kezdő: HUF 2 703,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPW60R040CFD7XKSA1
kezdő: HUF 72 117,90*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ CFD7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 az Infineon legújabb nagyfeszültségű szuperjunktion MOSFET technológiája, integrált gyorsdióda-házzal, kiegészítve a Cool MOS™ 7 sorozatot. A COOL MOS™ CFD7 csökkente...
Infineon
IPW60R040CFD7XKSA1
kezdő: HUF 2 333,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH50N60P3
kezdő: HUF 2 449,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH50N60P3
kezdő: HUF 3 539,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW56N60DM2
kezdő: HUF 2 186,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW56N60DM2
kezdő: HUF 81 444,5001*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
A ROHM teljesítmény MOSFET TO-220FM tokozású. Elsősorban kapcsolásra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Gyors kapcsolás Könnyű párhuzamos használat Ólommentes bevonat, RoHS kompatib...
ROHM Semiconductor
R6050JNZC17
kezdő: HUF 2 744,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
ROHM Semiconductor
R6050JNZC17
kezdő: HUF 2 632,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPZ60R040C7XKSA1
kezdő: HUF 2 821,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ C7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ C7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellená...
Infineon
IPZ60R040C7XKSA1
kezdő: HUF 2 882,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 9-tüskés, SMPD CoolMOS™ Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás teljesítmény MOSFET, IXYS CoolMOS™
IXYS
MKE38RK600DFELB
kezdő: HUF 6 245,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPB60R040C7ATMA1
kezdő: HUF 2 331,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...
Infineon
IPB60R040C7ATMA1
kezdő: HUF 2 993,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMZA65R039M1HXKSA1
kezdő: HUF 3 080,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.