MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (87/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 1.8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBE20PBF

kezdő: HUF 414,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.85 A, 1000 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STU2NK100Z

kezdő: HUF 2 512,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

PMV213SN,215

kezdő: HUF 824,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN10B08E6TA

kezdő: HUF 998,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN10A08E6TA

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

BSH108,215

kezdő: HUF 583,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

FDN357N

kezdő: HUF 813,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2303CDS-T1-GE3

kezdő: HUF 53,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek. Az Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos...

Infineon

BSP171P

kezdő: HUF 207,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (2 ajánlat)

Ez a Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET Advanced feldolgozási technikákat használ a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. Ez az előny a gyors kapcsol...

Infineon

IRL520NSTRLPBF

kezdő: HUF 149,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRL520NSTRLPBF

kezdő: HUF 258,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQD13N10TM

kezdő: HUF 114,00*
db-ként