| | | | | | | Kép | | | | Megrendelés | | | |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,9 A, 6,5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat) Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponen... |
|
kezdő: HUF 3 114,40* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 86,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 136,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 2 244,10* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 3 865,00* 20 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 186,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 164 789,00* 500 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 281,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 1 165,10* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 105,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 1 850,00* 20 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,6 A, 3,3 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 (1 ajánlat) Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(be)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít... |
|
kezdő: HUF 104,065* 5 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,6 A, 3,3 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A, 3,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSOT-26 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximáli... |
|
kezdő: HUF 4 208,40* 100 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő ... |
|
kezdő: HUF 173,94* 5 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő ... |
|
kezdő: HUF 65,00* db-ként |
| |
|