MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (116/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRFP9140NPBF

kezdő: HUF 10 403,80*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 500 V, 4-tüskés, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STE53NC50

kezdő: HUF 10 317,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, max. 40 V. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes k...

Infineon

IPP055N03LGXKSA1

kezdő: HUF 10 293,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 127 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 127 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként...

Infineon

IMZA120R014M1HXKSA1

kezdő: HUF 10 277,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 49 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C672NL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 49 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NVMFD5C672NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVMFD5C672NLWFT1G

kezdő: HUF 10 251,10*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat)

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...

ST Microelectronics

SCTWA90N65G2V-4

kezdő: HUF 10 231,00*
db-ként

Infineon IPS60R1K0CE tranzisztor 800 V (1 ajánlat)

Infineon

IPS60R1K0CEAKMA1

kezdő: HUF 10 215,7005*
75 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 111 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C650NL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 111 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVMFD5C650NLWFT1G

kezdő: HUF 10 211,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL90N (2 ajánlat)

A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...

ST Microelectronics

SCTL90N65G2V

kezdő: HUF 10 206,00*
db-ként

MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-tüskés, TO 247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO 247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4

Wolfspeed

C3M0021120K

kezdő: HUF 10 176,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF9540NPBF

kezdő: HUF 10 153,70*
50 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 097,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 40 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C466NL (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 5x6 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVMFD5C466NLT1G

kezdő: HUF 10 096,90*
25 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 093,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 533 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 533 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVMTS0D6N04CTXG

kezdő: HUF 10 091,80*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 994 cikk)