MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (120/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 533 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 533 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVMTS0D6N04CTXG

kezdő: HUF 10 101,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™-T Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™T teljesítmény MOSFET-ek. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes körű rugalma...

Infineon

IPB17N25S3100ATMA1

kezdő: HUF 10 093,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRFZ44NPBF

kezdő: HUF 10 070,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 190 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 OptiMOS™ Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™ kis jel MOSFET-ek

Infineon

BSS119NH6327XTSA1

kezdő: HUF 10 066,00*
250 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 065,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,18 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

BSS215PH6327XTSA1

kezdő: HUF 10 048,00*
250 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 100 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon MOSFETA Infineon HSOF-8 felületre szerelhető N-csatornás MOSFET egy új korú termék, amelynek merítő-forrás ellenállása 1,5 m, kapu-forrás feszültsége 10 V. A MOSFET folyamatos leeresztési ...

Infineon

IPT015N10N5ATMA1

kezdő: HUF 10 039,20*
5 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...

onsemi

NXV65HR82DS1

kezdő: HUF 10 035,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS2

kezdő: HUF 10 032,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 49 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C672NL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 49 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NVMFD5C672NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVMFD5C672NLT1G

kezdő: HUF 10 009,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 A, 40 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

IXYS

MMIX1T600N04T2

kezdő: HUF 9 943,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 70 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellená...

ROHM Semiconductor

SCT3030AW7TL

kezdő: HUF 9 936,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 127 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 127 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMW120R014M1HXKSA1

kezdő: HUF 9 923,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 9 923,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 111 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C650NL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 111 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NVMFD5C650NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVMFD5C650NLWFT1G

kezdő: HUF 9 913,70*
10 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)