MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (132/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 47,2 A, 650 V, TO-247 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 47,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt

Nexperia

GAN041-650WSBQ

kezdő: HUF 6 468,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHF840STRL-GE3

kezdő: HUF 6 459,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,17 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek. Az Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos...

Infineon

BSP315PH6327XTSA1

kezdő: HUF 6 449,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTHL027N65S3HF

kezdő: HUF 6 416,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 6 408,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...

ST Microelectronics

SCT30N120

kezdő: HUF 6 405,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19,5 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh K5, SuperMESH5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ K5 sorozat, SuperMESH5™ STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW25N80K5

kezdő: HUF 6 387,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...

IXYS

IXFK120N65X2

kezdő: HUF 6 375,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMZA120R020M1HXKSA1

kezdő: HUF 6 366,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 6.5 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Közös elvezető Si (1 ajánlat)

Taiwan Semiconductor, kettős N csatornás

Taiwan Semiconductor

TSM6968DCA RV

kezdő: HUF 6 364,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 77 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

Infineon

IPW60R041C6

kezdő: HUF 6 364,00*
db-ként

MOSFET, 95 A, 600 V, TO-247AC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 95 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

SIHG026N60EF-GE3

kezdő: HUF 6 340,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítményt biztosít, így ideális a nagy hatékonyságú energiag...

Diodes

DMP3125L-7

kezdő: HUF 6 328,20*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN019N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTH4LN019N65S3H

kezdő: HUF 6 316,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSS131H6327XTSA1

kezdő: HUF 6 307,50*
250 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 994 cikk)