MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (134/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTHL027N65S3HF

kezdő: HUF 6 448,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, max. 40 V. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes k...

Infineon

BSC019N04NSGATMA1

kezdő: HUF 6 447,10*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...

ST Microelectronics

SCT30N120

kezdő: HUF 6 421,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 6 417,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 6.5 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Közös elvezető Si (1 ajánlat)

Taiwan Semiconductor, kettős N csatornás

Taiwan Semiconductor

TSM6968DCA RV

kezdő: HUF 6 390,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 22-tüskés, QDPAK IPDQ60R010S7A (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = IPDQ60R010S7A Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 22 Maximális nyelő f...

Infineon

IPDQ60R010S7AXTMA1

kezdő: HUF 6 384,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN019N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTH4LN019N65S3H

kezdő: HUF 6 362,00*
db-ként

MOSFET, 95 A, 600 V, TO-247AC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 95 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

SIHG026N60EF-GE3

kezdő: HUF 6 358,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...

IXYS

IXFK120N65X2

kezdő: HUF 6 340,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 68 A, 60 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NVMFD5C668NLT1G

kezdő: HUF 6 310,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSS131H6327XTSA1

kezdő: HUF 6 286,50*
250 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SISHA10DN-T1-GE3

kezdő: HUF 6 283,90*
25 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 127 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető kivezetésfelületű vál...

onsemi

NVMFD5C446NT1G

kezdő: HUF 6 280,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 900 V, 7-tüskés, TO-263-7 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

A Wolfspeed bemutatja legújabb áttörést az SIC tápellátó eszközök technológiájában: Az iparág első 900 V-os MOSFET platformja. Az új 900 V platform a nagyfrekvenciás elektromos alkalmazásokra - bel...

Wolfspeed

C3M0120090J

kezdő: HUF 6 258,80*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMZA120R020M1HXKSA1

kezdő: HUF 6 250,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)