Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 100 V, 8-tüskés, DFN NTMFS Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NTMFS sorozat n-csatornás MOSFET, amely 100 V-os feszültségforráshoz elvezető Általában szinkron egyenirányítás és DC-DC átalakítás használatos.Ólommentes RoHS megfelelőségű
onsemi
NTMFSC4D2N10MC
kezdő: HUF 631,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH90 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses teljesítményértéke 116A, és a forrásellenállás 18 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a ...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
kezdő: HUF 8 035,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizá...
onsemi
FDMS4D5N08LC
kezdő: HUF 407,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PQFN8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
onsemi
FDMS4D5N08LC
kezdő: HUF 678,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 900 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...
onsemi
NTH4L020N090SC1
kezdő: HUF 4 940 338,50*
450 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 900 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...
onsemi
NTH4L020N090SC1
kezdő: HUF 19 028,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 117 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor
onsemi
NTD4804NT4G
kezdő: HUF 233,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (3 ajánlat) 
A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. További jellemzői ennek a...
Infineon
IRFR4104TRPBF
kezdő: HUF 221,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFR4104TRPBF
kezdő: HUF 304,00*
db-ként
 
 db
Infineon BSC026N04LS tranzisztor 30 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC026N04LSATMA1
kezdő: HUF 1 033 621,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Infineon
BSC026N04LSATMA1
kezdő: HUF 281,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW90 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 996,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 267,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA90N65G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 692,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 231,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   131   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.