MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (147/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 58 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (2 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 29 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. Szünetmentes tápban, Boost inverterben, ipari motormeghajtóként és fotovoltaikus töltőben használható.40...

onsemi

NTH4L040N120SC1

kezdő: HUF 4 473,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 64 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R022M1HXTMA1

kezdő: HUF 4 465,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 STWA68N65DM6 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = STWA68N65DM6 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STWA68N65DM6

kezdő: HUF 4 460,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,9 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

BSO201SPHXUMA1

kezdő: HUF 4 459,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTH027N65S3F Egyszeres (2 ajánlat)

Ez a PIN-dióda kompakt és hatékony kialakítást tesz lehetővé. Két PIN-dióda található egyetlen SC-70 tokozásban. A két PIN-dióda használata jóvoltából csökkenhet a rendszer költsége és a helyigény ...

onsemi

NTH027N65S3F-F155

kezdő: HUF 4 454,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTHL095N65S3HF

kezdő: HUF 4 446,50*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...

IXYS

IXTH80N65X2

kezdő: HUF 4 442,00*
db-ként

Infineon IPSA70R1K2P7S tranzisztor 700 V (1 ajánlat)

Infineon

IPSA70R1K2P7SAKMA1

kezdő: HUF 4 438,40025*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMT6008LFG-7

kezdő: HUF 4 432,10*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Tranzisztor anyaga = SiC

Microchip Technology

MSC080SMA120B4

kezdő: HUF 4 431,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (1 ajánlat)

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...

ST Microelectronics

SCTL35N65G2V

kezdő: HUF 4 425,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP3160L-7

kezdő: HUF 4 421,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFX98N50P3

kezdő: HUF 4 416,00*
db-ként

MOSFET, 30 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK–7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK–7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7

ST Microelectronics

SCT040H65G3AG

kezdő: HUF 4 412,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NVF3055L108T1G

kezdő: HUF 4 407,40*
25 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)