MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (180/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IPP65R045C7 tranzisztor 650 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP65R045C7XKSA1

kezdő: HUF 3 230,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 229,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRF5210LPBF

kezdő: HUF 3 219,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...

ROHM Semiconductor

SCT3060ARC15

kezdő: HUF 3 218,00*
db-ként

MOSFET, 304 A, 700 V, PG-TO247-3 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-TO247-3 Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

IPW65R029CFD7XKSA1

kezdő: HUF 3 217,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,7 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220SIS DTMOSIV Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = TO-220SIS Sorozat = DTMOSIV Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maxim...

Toshiba

TK10A50W,S5X(M

kezdő: HUF 3 216,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Vishay

SIHG22N60EF-GE3

kezdő: HUF 3 215,20*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH170N10P

kezdő: HUF 3 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CP Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

Infineon

IPW60R125CPFKSA1

kezdő: HUF 3 213,40*
2 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 2,3 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 12 V - 20 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumok...

Infineon

IRF7104TRPBF

kezdő: HUF 3 212,80*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN31D5L-7

kezdő: HUF 3 212,60*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 136 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 136 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...

Toshiba

TK65G10N1

kezdő: HUF 3 208,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 1700 V on Semiconductor

onsemi

NTP6410ANG

kezdő: HUF 3 204,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPD031N06L3GATMA1

kezdő: HUF 3 203,70*
10 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 17,3 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NVH SiC (1 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 17.3 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. A fedélzeti töltőben, DC- vagy DC-átalakító alkalmazásokban használható.AEC Q101 minősített 100%-osan ...

onsemi

NVH4L160N120SC1

kezdő: HUF 3 194,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)